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    Cree积极扩厂开发功率及射频元件,GaN on SiC磊晶技术发展待观察

    作者:时间:2019-07-05来源:拓墣产业研究院收藏

    全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元,SiC晶圆与大厂为求强化自身功率及元件研发能力,决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市,扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory),期望借此扩建案,提升在SiC晶圆?#31995;纳?#20135;尺寸与提升晶圆使用市占,并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一?#25509;?#29992;于功率及元件中。

    本文引用地址:http://www.9113521.com/article/201907/402336.htm

    收回Wolfspeed事业部,加码扩厂开发功率及元件

    以LED材料与元件起?#19994;腃ree,近年将研发方向集中于功率及元件领域的理由,可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略,已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体,期望借由此次并购案,使Infineon成为车用SiC元件?#31995;?#39046;先霸主;但事情发展并非如此顺利,2017年2月出售案经美国外资投资委员会(CFIUS)评估后,以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案,迫使Cree需重新思?#23478;?#24212;策?#32422;?#32463;营方针。

    此后Cree于2018年2月及3?#29575;保?#25552;出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议,并向Infineon?#23637;?#20854;射频功率半导体事业部,试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失,保持与Infineon之合作关系。

    2019年5月Cree又提出扩厂计划,说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上,?#20013;?#25237;入8寸SiC晶圆生成技术的提升,藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消?#30740;?#30005;子领域之市占空间。

    各厂于之目标市场?#22278;?#21516;,后续发展仍需?#20013;?#35266;察

    ?#20013;?a class="contentlabel" href="http://www.9113521.com/news/listbylabel/label/GaN on SiC磊晶技术">GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中,Cree拥有最大SiC晶圆市占率(超过5成以上);根据官网资料,目前使用的SiC基板尺寸最大可达6寸,主要应用于功率半导体的车用、工业及消?#30740;?#30005;子元件中,少量使用于通讯射频领域上;未来扩厂计划完工后,预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。

    另外,Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术),其使用的SiC基板最大尺寸为4寸,借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后,形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构,目标开发高频通讯功率元件。

    因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形,各家厂商瞄准的目标市场?#22278;?#21516;,该技术?#28304;?#20110;发展阶段,有待后续?#20013;?#20851;注。 



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