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    Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

    作者:时间:2019-03-12来源:电子产品世界收藏

       公司 (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小,可在闸极驱动功率 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路,提供更高的功率密度设计。

    本文引用地址:http://www.9113521.com/article/201903/398414.htm

      DXTN07xxxxFG (NPN) 与 DXTP07xxxxFG (PNP) 系列以工业级消?#30740;?#24066;场为目标,范围涵盖 25V 至 100V VCEO;同时具备 2W 总功率消耗及最高 +175°C 额定作业温度。新款晶体管外壳采用小型 PowerDI?3333 表面黏着封装,尺寸仅 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm,占用 PCB 的空间比传统 SOT223 少 70%,以散热效率更高的封装提供类似的功率消耗。

      PowerDI3333 封装具有可润湿侧翼 (wettable flank),?#21830;?#39640; PCB 传输速率,促进焊接点的高速自动光学检查 (AOI),因此无需使用 X 光检查。

      全系列 DXTN07xxxxFG 与 DXTP07xxxxFG 装置将于 2019 年第 1 季底通过汽车认证后,开始供应样品。



    关键词: Diodes MOSFET

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