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    MRAM将改变半导体市场的格局?三星已开始大量生产

    作者:时间:2019-03-08来源:网络收藏

      据报道,已开始生产磁阻随机存取存储器()。预计将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。

    本文引用地址:http://www.9113521.com/article/201903/398326.htm

      3月6日宣布,已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上,开始大规模生产和商业运输嵌入式(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式,标志着新内存产品的首次发货。

      这种解决方案无需在数据记?#35745;?#38388;?#33080;?#25968;据,并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速?#21462;?a class="contentlabel" href="http://www.9113521.com/news/listbylabel/label/三星">三星表示,由于它在断电时保存了存储的数据,并且不使用额外的备用电源,所以它的功耗也很优秀。

      三星将FD-SOI工艺与嵌入式设计技术相结合。在FD-SOI工艺中,硅片上覆盖一层绝?#30340;ぃ?#22312;顶部形成晶体管。它的特点是大大降低?#21496;?#20307;管运行过?#35752;?#20135;生的漏电流。该公司在FD-SOI进?#35752;?#28155;加了嵌入式内存技术。嵌入式存储技术是一种存储模块,用于小型电子设备的微控制器单元(MCU)和片上系统(SoC)等系统半导体中存储信息。

      三星电子表示,该解决方案结构简单,可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少的层数来实现,从而减轻了公司进行新设计的负担,并降低了生产成本。三星计划扩大其嵌入式内存解决方案,从今年生产1块Gbe MRAM测试芯片开始。

      行业分析师表示,随着eMRAM的推出,三星将增加其代工销售,同时增强其在代工方面的竞争力,以确保在未来半导体市场占据领先地位。

      三星计划明年推出18纳米FD-SOI eMRAM工艺。



    关键词: MRAM 三星

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